A medida que los centros de datos se hacen más densos y rápidos con la difusión de la IA generativa, se requiere una velocidad y una eficiencia energética sin precedentes en el diseño de los equipos de comunicaciones y redes.
En este contexto, el interés por la “tecnología de fusión optoelectrónica” y los “circuitos integrados ópticos fotónicos de silicio” que constituyen la base para su aplicación está creciendo rápidamente, sobre todo en la industria manufacturera.
El tema será explicado por la Facultad de Ingeniería de la Universidad de Ciencias de Tokio, que lleva mucho tiempo implicada en la educación, la investigación y la construcción de una plataforma de diseño para la fotónica de silicio.

Los fundamentos y la estructura de la fotónica de silicio y la tecnología de fusión optoelectrónica.
Las últimas tendencias en materiales y componentes que soportan el procesamiento de baja potencia y alta velocidad.
Perspectivas de los dispositivos de próxima generación para la era de la IA y las comunicaciones de alta velocidad.

En los últimos años, el desarrollo de dispositivos con interfaces ópticas por parte de NVIDIA y el concepto IOWN de NTT han acelerado la redefinición de la frontera entre las comunicaciones y la informática,
En los últimos años, la tendencia a redefinir la frontera entre las comunicaciones y la informática se ha acelerado, con el desarrollo de dispositivos con interfaces ópticas por parte de NVIDIA y el concepto IOWN por parte de NTT.